ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

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ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

研究代表者 板倉賢

（日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B), 平成16年度～18年度）

[九州大学], 2007.3

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平成16年度～18年度日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B)

Title Transcription

ハレクシス CBEDホウ オ モチイタ テツ シリサイド ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウセイ ヒョウカ

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Note

課題番号: 16360315

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Details

  • NCID
    BA82165593
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [福岡]
  • Pages/Volumes
    64p
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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