発振波長が温度に依存しないレーザ用GaNAsBi新半導体混晶の研究
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発振波長が温度に依存しないレーザ用GaNAsBi新半導体混晶の研究
（科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書, 平成17年度〜平成19年度）
[尾江邦重], 2008.3
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ハッシン ハチョウ ガ オンド ニ イゾン シナイ レーザヨウ GaNAsBi シン ハンドウタイ コンショウ ノ ケンキュウ
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注記
研究代表者: 尾江邦重