発振波長が温度に依存しないレーザ用GaNAsBi新半導体混晶の研究

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発振波長が温度に依存しないレーザ用GaNAsBi新半導体混晶の研究

（科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書, 平成17年度〜平成19年度）

[尾江邦重], 2008.3

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ハッシン ハチョウ ガ オンド ニ イゾン シナイ レーザヨウ GaNAsBi シン ハンドウタイ コンショウ ノ ケンキュウ

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研究代表者: 尾江邦重

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Details

  • NCID
    BA86675784
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    engjpn
  • Place of Publication
    [京都]
  • Pages/Volumes
    103p
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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