電子デバイス入門
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電子デバイス入門
（実用理工学入門講座）
日新出版, 2009.4
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デンシ デバイス ニュウモン
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参考文献: p115, 索引: p[127]-129
Description and Table of Contents
Table of Contents
- 第１章 半導体の物理（半導体シリコンの結晶構造とエネルギー帯；半導体のキャリア密度；半導体の電気伝導）
- 第２章 ｐｎ接合ダイオード（ｐｎ接合ダイオードの構成と動作原理；ｐｎ接合ダイオードの電流‐電圧特性；ｐｎ接合ダイオードの容量特性）
- 第３章 バイポーラ・トランジスタ（バイポーラ・トランジスタの構成と動作原理；バイポーラ・トランジスタの電流増幅；バイポーラ・トランジスタの静特性）
- 第４章 ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴの構成；ＭＯＳ構造の動作；はんてんじょうたいの電荷特性としきい値電圧；ＭＯＳ構造の容量特性；ＭＯＳＦＥＴの静特性；ＣＭＯＳの構造と動作）
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