電子デバイス入門

著者

• 室, 英夫 ムロ, ヒデオ
• 脇田, 和樹 ワキタ, カズキ
• 阿武, 宏明 アンノ, ヒロアキ

書誌事項

電子デバイス入門

室英夫, 脇田和樹, 阿武宏明共著

（実用理工学入門講座）

日新出版, 2009.4

タイトル読み

デンシ デバイス ニュウモン

注記

参考文献: p115, 索引: p[127]-129

内容説明・目次

目次

• 第１章　半導体の物理（半導体シリコンの結晶構造とエネルギー帯；半導体のキャリア密度；半導体の電気伝導）
• 第２章　ｐｎ接合ダイオード（ｐｎ接合ダイオードの構成と動作原理；ｐｎ接合ダイオードの電流‐電圧特性；ｐｎ接合ダイオードの容量特性）
• 第３章　バイポーラ・トランジスタ（バイポーラ・トランジスタの構成と動作原理；バイポーラ・トランジスタの電流増幅；バイポーラ・トランジスタの静特性）
• 第４章　ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴの構成；ＭＯＳ構造の動作；はんてんじょうたいの電荷特性としきい値電圧；ＭＯＳ構造の容量特性；ＭＯＳＦＥＴの静特性；ＣＭＯＳの構造と動作）

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA89846067
• ISBN:
  • 9784817302373
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: iii, 129p
• 大きさ: 21cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
  • NDC9 : 549.8
• 件名:
  • BSH : 半導体
  • BSH : 集積回路
• 親書誌ID:
  • BN00492556