III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用

Author(s)

• 長谷川, 英機 ハセガワ, ヒデキ

Bibliographic Information

III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用

研究代表者 長谷川英機

（科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書, 平成7年度〜平成8年度）

[北海道大学工学部], 1997.3

Title Transcription

III-V ゾク ハンドウタイ リョウシ コウゾウ ノ ヒョウメン ジュンイ ノ セイギョ ト ソノ ヒカリ デバイス エノ オウヨウ

Note

研究課題番号: 07455017

• NCID: BA9076838X
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpneng
• Place of Publication: [札幌]
• Pages/Volumes: 138p
• Size: 30cm
• Parent Bibliography ID:
  • BA31388455