III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用

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III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用

研究代表者 長谷川英機

(科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書, 平成7年度〜平成8年度)

[北海道大学工学部], 1997.3

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III-V ゾク ハンドウタイ リョウシ コウゾウ ノ ヒョウメン ジュンイ ノ セイギョ ト ソノ ヒカリ デバイス エノ オウヨウ

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研究課題番号: 07455017

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Details

  • NCID
    BA9076838X
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [札幌]
  • Pages/Volumes
    138p
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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