パワーエレクトロニクスの新展開

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パワーエレクトロニクスの新展開

大橋弘通, 木本恒暢監修

シーエムシー出版, 2009.9

Other Title

Recent development of power electronics

エレクトロニクスシリーズ

Title Transcription

パワー エレクトロニクス ノ シンテンカイ

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Note

参考文献あり

カバーに「エレクトロニクスシリーズ」の表記あり

Description and Table of Contents

Table of Contents

  • 第１章　ＳｉＣ（ＳｉＣ—可能性とその特徴；ＳｉＣ単結晶基板の高品質化技術；ＳｉＣエピタキシャル薄膜の多形制御技術；ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴの開発；Ｓｕｐｅｒ‐ＳＢＤ；ＳｉＣ‐ＭＯＳＦＥＴの信頼性および動作時のノイズ低減；高性能４Ｈ‐ＳｉＣＳＢＤ、ＭＯＳＦＥＴの開発と高温動作ＳｉＣＩＰＭ；ＳｉＣ接合型／静電誘導型（ＳｉＣ‐ＪＦＥＴ／ＳＩＴ）トランジスタ）
  • 第２章　ＧａＮ（ＧａＮ—可能性とその特徴；窒化物半導体の特性と評価；Ｓｉ基板上ＡｌＧａＮ／ＧａＮパワーデバイス；超高耐圧ＡｌＧａＮ／ＧａＮパワーデバイス；薄層ＡｌＧａＮ構造を用いたＧａＮパワーデバイス）
  • 第３章　ダイヤモンド半導体（材料；デバイス）
  • 第４章　応用編（次世代モーダルシフト；情報通信システム用電源）

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Details

  • NCID
    BA91907925
  • ISBN
    • 9784781301372
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    iv, 197p
  • Size
    27cm
  • Classification
  • Subject Headings
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