パワーエレクトロニクスの新展開

著者

• 大橋, 弘通 オオハシ, ヒロミチ
• 木本, 恒暢 キモト, ツネノブ

書誌事項

パワーエレクトロニクスの新展開

大橋弘通, 木本恒暢監修

シーエムシー出版, 2009.9

タイトル別名

Recent development of power electronics

エレクトロニクスシリーズ

タイトル読み

パワー エレクトロニクス ノ シンテンカイ

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• パワーエレクトロニクスの新展開

  2009.9.

  Maruzen eBook Library

注記

参考文献あり

カバーに「エレクトロニクスシリーズ」の表記あり

内容説明・目次

目次

• 第１章　ＳｉＣ（ＳｉＣ—可能性とその特徴；ＳｉＣ単結晶基板の高品質化技術；ＳｉＣエピタキシャル薄膜の多形制御技術；ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴの開発；Ｓｕｐｅｒ‐ＳＢＤ；ＳｉＣ‐ＭＯＳＦＥＴの信頼性および動作時のノイズ低減；高性能４Ｈ‐ＳｉＣＳＢＤ、ＭＯＳＦＥＴの開発と高温動作ＳｉＣＩＰＭ；ＳｉＣ接合型／静電誘導型（ＳｉＣ‐ＪＦＥＴ／ＳＩＴ）トランジスタ）
• 第２章　ＧａＮ（ＧａＮ—可能性とその特徴；窒化物半導体の特性と評価；Ｓｉ基板上ＡｌＧａＮ／ＧａＮパワーデバイス；超高耐圧ＡｌＧａＮ／ＧａＮパワーデバイス；薄層ＡｌＧａＮ構造を用いたＧａＮパワーデバイス）
• 第３章　ダイヤモンド半導体（材料；デバイス）
• 第４章　応用編（次世代モーダルシフト；情報通信システム用電源）

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA91907925
• ISBN:
  • 9784781301372
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: iv, 197p
• 大きさ: 27cm
• 分類:
  • NDC9 : 549.8
  • NDLC : ND371
• 件名:
  • NDLSH : パワーエレクトロニクス