集積ナノデバイス
著者
書誌事項
集積ナノデバイス
(半導体デバイスシリーズ / 權田俊一, 谷口研二編集, 1)
丸善, 2009.11
- タイトル読み
-
シュウセキ ナノデバイス
大学図書館所蔵 全102件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
この図書・雑誌をさがす
注記
文献: 章末
内容説明・目次
内容説明
変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第1巻。ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
目次
- 1 序論(スケーリング則とムーアの法則;集積ナノデバイスの諸問題 ほか)
- 2 MOSトランジスタの基礎(MOSトランジスタの構造と動作;MOSトランジスタの1次近似モデル ほか)
- 3 微細トランジスタの性能向上(極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ;移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料))
- 4 微細化・集積化にともなう諸問題(スケーリングによる微細化とその課題;微細MOSFETの信頼性 ほか)
- 5 将来展望(将来に向けての技術動向;集積ナノデバイスマップ ほか)
「BOOKデータベース」 より