パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
（Power electronics）
CQ出版, 2011.4
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パワーデバイスIGBT活用の基礎と実際
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パワー デバイス IGBT カツヨウ ノ キソ ト ジッサイ : MOSFET ト トランジスタ ノ トクチョウ オ イカシタ スイッチング ソシ
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Note
参考文献: p177-178
Description and Table of Contents
Description
ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）は、ＭＯＳ ＦＥＴとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで、我々の周りのいろいろな電気機器に使われています。本書は、このＩＧＢＴの活用方法について詳細に解説しています。
Table of Contents
- 第１章 ＩＧＢＴの基礎知識
- 第２章 ゲート・ドライブ回路の設計
- 第３章 保護回路の設計と並列接続
- 第４章 放熱設計方法
- 第５章 ノイズ低減対策技術
- 第６章 トラブル発生時の対処方法
- 第７章 インテリジェント・パワー・モジュールＩＰＭ
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