Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究
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Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究
[出版者不明], [2002]
- タイトル読み
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Si キバンジョウ エノ キソウ エピタキシャル セイチョウホウ ニ ヨル チッカブツ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
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注記
名古屋大学2002年度博士論文
学位の種類: 博士(工学)
学位授与年月日: 2003-03-25
報告番号: 甲第5847号
学位記番号: 工博第1731号
