半導体の高次元化技術 : 貫通電極による3D/2.5D/2.1D実装

著者

• 伝田, 精一 デンダ, セイイチ

書誌事項

半導体の高次元化技術 : 貫通電極による3D/2.5D/2.1D実装

傳田精一著

東京電機大学出版局, 2015.4

タイトル読み

ハンドウタイ ノ コウジゲンカ ギジュツ : カンツウ デンキョク ニ ヨル 3D 2.5D 2.1D ジッソウ

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• 半導体の高次元化技術 貫通電極による3D/

  2015.4.

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注記

参考文献: 各章末

内容説明・目次

目次

• 第１章　ＴＳＶ技術の開発
• 第２章　ＴＳＶの作成プロセス
• 第３章　ＴＳＶチップの３Ｄ積層技術
• 第４章　ＴＳＶを使ったワイドＩＯメモリシステム
• 第５章　２．５Ｄ　ＴＳＶチップ積層構造
• 第６章　ＴＳＶ‐３Ｄメモリシステムの開発
• 第７章　新インターポーザと２．１Ｄデバイス
• 第８章　３Ｄ用マイクロバンプ、チップフィル、実装材料
• 第９章　ＴＳＶ関連の技術開発

「BOOKデータベース」 より

• NII書誌ID(NCID): BB18623820
• ISBN:
  • 9784501330903
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: vi, 144p
• 大きさ: 21cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
  • NDC9 : 549.8
• 件名:
  • BSH : シリコン(半導体)