ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発

書誌事項

ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発

水谷宇一郎, 佐藤洋一共著

内田老鶴圃, 2015.10

タイトル別名

ヒュームロザリー電子濃度則の物理学 : FLAPWFourier理論による電子機能材料開発

タイトル読み

ヒューム・ロザリー デンシ ノウド ソク ノ ブツリガク : FLAPW-Fourier リロン ニヨル デンシ キノウ ザイリョウ カイハツ

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注記

参考文献: 各章末

総索引: p223-226

欧字先頭語索引: p227-231

内容説明・目次

目次

  • 第1章 ヒューム・ロザリー電子濃度則とは
  • 第2章 WIEN2kを用いたFLAPW‐Fourier解析法
  • 第3章 周期律表元素の電子構造とe/aの決定
  • 第4章 結合形態による金属間化合物の分類
  • 第5章 Al‐およびZn‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  • 第6章 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  • 第7章 P‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  • 第8章 ヒューム・ロザリー電子濃度則と干渉条件
  • 第9章 ヒューム・ロザリー電子濃度則の材料開発への応用

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB19652405
  • ISBN
    • 9784753621019
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    xi, 231p
  • 大きさ
    21cm
  • 分類
  • 件名
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