窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
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窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
(CMCテクニカルライブラリー, 567 . 新材料・新素材シリーズ||シンザイリョウ シンソザイ シリーズ)
シーエムシー出版, 2015.12
普及版
- タイトル別名
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Bulk single crystals of group III nitride substrates and lattice‐matched substrates for high performance nitride‐based devices
- タイトル読み
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チッカブツ キバン オヨビ コウシ セイゴウ キバン ノ セイチョウ ト デバイス トクセイ
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注記
2009年刊の普及版
文献: 各章末
内容説明・目次
目次
- 第1章 バルクGaN単結晶の成長(窒化ガリウムのハイドライド気相成長;HVPE成長における低転位化技術 ほか)
- 第2章 非極性基板とその上の成長(HVPE法による無極性面GaN成長;半極性面を利用したInGaN系量子井戸構造の作製とその光学特性 ほか)
- 第3章 GaN以外の基板(昇華法によるAlN結晶成長;透明導電性基板としての酸化ガリウム単結晶 ほか)
- 第4章 LED応用(GaN基板LED;ZnSe白色発光LED ほか)
「BOOKデータベース」 より