パワー半導体デバイス

Author(s)

• 松本, 寿彰 マツモト, トシアキ
• 谷内, 利明 ヤチ, トシアキ
• 小倉, 常雄 オグラ, ツネオ
• 小谷, 和也 コダニ, カズヤ
• 田井, 裕通 タイ, ヒロミチ
• 竹内, 宏行 タケウチ, ヒロユキ

Bibliographic Information

パワー半導体デバイス

松本寿彰編著 ; 小倉常雄 [ほか] 著

（実践パワーエレクトロニクス入門）

オーム社, 2016.6

Title Transcription

パワー ハンドウタイ デバイス

Note

監修: 谷内利明

その他の著者: 小谷和也, 田井裕通, 竹内宏行

参考書・引用図書: p259-260

Description and Table of Contents

Table of Contents

• パワー半導体デバイスの概要
• ダイオード
• サイリスタ
• パワーＭＯＳＦＥＴ
• ＩＧＢＴ
• 破壊現象と保護
• ゲート駆動回路
• 集積化技術
• モジュール形パワーデバイスの実装
• 圧接形パワーデバイスの実装
• 信頼性

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Details

• NCID: BB21496481
• ISBN:
  • 9784274216800
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: ix, 264p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.8
  • NDC9 : 549.8
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体
  • BSH : パワーエレクトロニクス
• Parent Bibliography ID:
  • BB21495762