レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究
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レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究
(琉球大学大学院理工学研究科博士論文, 平成28年度)
琉球大学大学院理工学研究科, 2016.9
- タイトル別名
-
Research on Junction formation using laser annealing for high performance Si power MOS FETs
- タイトル読み
-
レーザーアニール ニ ヨル セツゴウ ケイセイ ト コウセイノウ パワー Si MOS FETs ニ カンルス ケンキュウ
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注記
生産エネルギー工学専攻