集積回路のための半導体デバイス工学

書誌事項

集積回路のための半導体デバイス工学

小林清輝著

コロナ社, 2018.4

タイトル別名

Semiconductor device engineering for integrated circuits

タイトル読み

シュウセキ カイロ ノ タメ ノ ハンドウタイ デバイス コウガク

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注記

文献: 章末

内容説明・目次

目次

  • 1章 集積回路の微細化が進められた理由(なぜ集積回路を微細化するのか;集積回路の微細化と性能の推移 ほか)
  • 2章 固体電子論の基礎(自由電子の波動関数;シリコンの結晶構造 ほか)
  • 3章 半導体中のキャリヤ(真性半導体;真性半導体の伝導電子密度と正孔密度 ほか)
  • 4章 MOSFETの動作原理(MOS構造;空乏近似 ほか)
  • 5章 LSI製造プロセス(LSIができるまでの流れ;製造プロセスのフロー ほか)
  • 6章 LSIの構成と動作(DRAMの動作;SRAMの動作 ほか)

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB25864860
  • ISBN
    • 9784339009095
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    viii, 186p
  • 大きさ
    21cm
  • 分類
  • 件名
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