集積回路のための半導体デバイス工学

Author(s)

• 小林, 清輝 コバヤシ, キヨテル

Bibliographic Information

集積回路のための半導体デバイス工学

小林清輝著

コロナ社, 2018.4

Other Title

Semiconductor device engineering for integrated circuits

Title Transcription

シュウセキ カイロ ノ タメ ノ ハンドウタイ デバイス コウガク

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• 集積回路のための半導体デバイス工学

  2018.4.

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Note

文献: 章末

Description and Table of Contents

Table of Contents

• １章　集積回路の微細化が進められた理由（なぜ集積回路を微細化するのか；集積回路の微細化と性能の推移　ほか）
• ２章　固体電子論の基礎（自由電子の波動関数；シリコンの結晶構造　ほか）
• ３章　半導体中のキャリヤ（真性半導体；真性半導体の伝導電子密度と正孔密度　ほか）
• ４章　ＭＯＳＦＥＴの動作原理（ＭＯＳ構造；空乏近似　ほか）
• ５章　ＬＳＩ製造プロセス（ＬＳＩができるまでの流れ；製造プロセスのフロー　ほか）
• ６章　ＬＳＩの構成と動作（ＤＲＡＭの動作；ＳＲＡＭの動作　ほか）

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• NCID: BB25864860
• ISBN:
  • 9784339009095
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: viii, 186p
• Size: 21cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.7
  • NDC9 : 549.7
• Subject Headings:
  • BSH : 集積回路
  • BSH : シリコン(半導体)