VLSIデバイスの物理
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VLSIデバイスの物理
（電子材料シリーズ）
丸善, 1986.7
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VLSI デバイス ノ ブツリ
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VLSIデバイスの物理
1986
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VLSIデバイスの物理
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Note
章末: 文献
参考書: p[243]
Description and Table of Contents
Description
半導体デバイスは高集積化の一途をたどっているが，集積度が高くなると従来のデバイスに適用されていた一次元モデルが適用できなくなる。本書はＶＬＳＩデバイスを従来のデバイスに関連づけて述べ、その物理的意味を明らかにすることを目的としているが、本書を本シリーズに取り上げたのは、今後ますますデバイスと材料・プロセスの関係が緊密化し、ＶＬＳＩがさらに発展するためには、両者の知識が不可欠にならざるを得ないからである。
Table of Contents
- 半導体物性とデバイスの基礎
- ＭＯＳデバイス
- バイポーラデバイス
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