VLSIデバイスの物理
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VLSIデバイスの物理
(電子材料シリーズ)
丸善, 1986.7
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VLSI デバイス ノ ブツリ
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VLSIデバイスの物理
1986
限定公開 -
VLSIデバイスの物理
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注記
章末: 文献
参考書: p[243]
内容説明・目次
内容説明
半導体デバイスは高集積化の一途をたどっているが,集積度が高くなると従来のデバイスに適用されていた一次元モデルが適用できなくなる。本書はVLSIデバイスを従来のデバイスに関連づけて述べ、その物理的意味を明らかにすることを目的としているが、本書を本シリーズに取り上げたのは、今後ますますデバイスと材料・プロセスの関係が緊密化し、VLSIがさらに発展するためには、両者の知識が不可欠にならざるを得ないからである。
目次
- 半導体物性とデバイスの基礎
- MOSデバイス
- バイポーラデバイス
「BOOKデータベース」 より