シリコン結晶とドーピング
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シリコン結晶とドーピング
（電子材料シリーズ）
丸善, 1986.6
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シリコン ケッショウ ト ドーピング
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シリコン結晶とドーピング
1986
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シリコン結晶とドーピング
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各章末:文献
Description and Table of Contents
Description
半導体プロセス技術の出発点であるシリコン単結晶成長と、同技術の中心となる不純物ドーピングについて、ＶＬＳＩデバイスからの要求にそって、最新の技術を解説。単結晶成長およびドーピングはいずれも古い歴史があるが、ＶＬＳＩのように高集積化すると、従来の技術に変更を加えざるをえない。そこで、本書では結晶・ドーピング技術とデバイスとの関連を明らかにすることに重点を置いて詳述している。
Table of Contents
- １ 結晶とエピタキシ
- ２ 不純物拡散
- ３ イオン注入
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