半導体デバイスの基礎

Author(s)

• Grove, Andrew S.
• 杉淵, 清 スギブチ, キヨシ
• 垂井, 康夫 タルイ, ヤスオ
• 杉山, 尚志 スギヤマ, ナオシ
• 吉川, 武夫 キッカワ, タケオ

Bibliographic Information

半導体デバイスの基礎

A.S.グローブ著 ; 垂井康夫監訳 ; 杉淵清 [ほか] 訳

マグロウヒル出版, 1986.3

Other Title

Physics and technology of semiconductor devices

Title Transcription

ハンドウタイ デバイス ノ キソ

Note

その他の訳者: 杉山尚志, 吉川武夫

各章末: 参考文献

Description and Table of Contents

Table of Contents

• 序論（プレーナ技術；固体技術　気相成長；熱酸化；固体拡散）
• 半導体と半導体デバイス（半導体物理の初歩；非平衡状態の半導体；ｐｎ接合；接合トランジスタ；接合型電界効果トランジスタ）
• 表面効果と表面制御型デバイス（半導体表面の理論；ｐｎ接合に与える表面効果；表面電界型トランジスタ；シリコン−シリコン酸化膜系の性質）

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Details

• NCID: BN00363837
• ISBN:
  • 4895010651
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Original Language Code: eng
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: xxii, 411p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.8
  • NDLC : ND371
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体
  • NDLSH : 半導体