化合物半導体の結晶成長と評価
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書誌事項
化合物半導体の結晶成長と評価
（半導体研究 / 半導体研究振興会編, 25,
工業調査会, 1986.8-
- [その1]
- その2
- その3
- その4
- その5
- その6
- その7
- その8
- タイトル読み
-
カゴウブツ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ ト ヒョウカ
大学図書館所蔵 全177件
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[その1]549.8||H29||2503004014,
その2549.8||H29||2703004015, その3549.8||H29||2903004016, その4549.8||H29||3103004017, その5549.8||H29||3303004018, その6549.8||H29||3503004019, その7549.8||H29||3703004020, その8549.8||H29||3903004021 -
[その1]549/25/864204276685,
その2549/27/864204276700, その3549/29/864204276729, その4549/31/864204276747, その5549/33/864204276765, その6549/35/864204276783, その7549/37/864204276809, その8549/39/864204276827 -
[その1]549.8||H001256452,
その2549.8||H001297431, その3549.8||H001327345, その4549.8||H001365170, その5549.8||H001378603, その6549.8||H001469956, その7549.8||H001428564, その8549.8||H001469931 -
[その1]549/H/25,
その2549/H/27, その3549/H/29, その4549/H/31, その5549/H/33, その6549/H/35, その7549/H/37, その8549/H/39 -
[その1]779205683,
その2779205685, その3779205687, その4779205689, その5779205694, その6880302295, その7880302297, その8880302299 -
[その1]549.8||H29||v.25110302510,
その2549.8||H29||v.27110302512, その3549.8||H29||v.29119003389, その4549.8||H29||v.31110302515, その5549.8||H29||v.33110302517, その6549.8||H29||v.35110302519, その7549.8||H29||v.37110302521, その8549.8||H29||v.39110302523 -
[その1]1081900,
その21081902, その31081904, その41081906, その51081908, その61081910, その71081912, その81081914 -
その2549.8||H29||27000086767,
その3549.8||H29||29000086769, その4549.8||H29||31000086771, その5549.8||H29||33000086773, その6549.8||H29||35000086775, その7549.8||H29||37000086777, その8549.8||H29||39000086779 -
その21110022077,
その31110022080, その41110022092, その51110022103, その61110022115, その71110022127, その81110022130 OPAC
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注記
各章末: 参考文献
内容説明・目次
- 巻冊次
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[その1] ISBN 9784769310556
目次
- １ 分子層エピタキシとホトエピタキシ
- ２ ２‐６族化合物の原子層エピタキシ
- ３ 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶成長
- ４ 大型ＩｎＰ単結晶
- ５ ＧａＡｓ中の欠陥準位
- ６ フォトルミネッセンスによるＧａＡｓの深い準位の評価
- ７ 電子顕微鏡によるＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層構造の評価
- ８ ＧａＡｓのドライエッチング
- ９ ＧａＡｓの集積回路用ＭＥＳ ＦＥＴ
- 巻冊次
-
その2 ISBN 9784769310624
目次
- １． 低転位密度ＧａＡｓの結晶成長と結晶歪の評価
- ２． ＧａＡｓ中の高濃度添加不純物の占有位置
- ３． 格子定数の精密測定によるＧａＡｓ結晶の評価
- ４． ＧａＡｓの結晶成長機構
- ５． 液相成長における混晶の組成変動
- ６． ＭＢＥ結晶成長とドーピング技術
- ７． フォトキャパシタンス（ＰＨＣＡＰ）法によるＧａＡｓ結晶の欠陥評価
- ８． ＧａＡｓ ＭＭＩＣデバイス技術
- ９． ＧａＡｓ ＭＡＳＦＥＴとＩＣへの適用
- 巻冊次
-
その3 ISBN 9784769310693
目次
- １ ＧａＡｓＩＣ用引上結晶の量産化技術の開発
- ２ 磁場印化ＧａＡｓ単結晶成長法
- ３ ＡｌＧａＡｓ系の減圧有機金属気相成長
- ４ 分子層エピタキシー
- ５ レーザトモグラフィによる化合物半導体結晶の評価
- ６ 遠赤外光による化合物半導体の評価
- ７ 金属・３—５化合物半導体接合の評価
- ８ 高出力ＧａＡｓＭＭＩＣ
- ９ タンネットダイオード
- パネルディスカッション
- 巻冊次
-
その4 ISBN 9784769310754
目次
- １ 低炭素ＧａＡｓ単結晶育成法と結晶評価
- ２ マイクロ波を用いた非接触法によるＧａＡｓ評価技術
- ３ ＧａＡｓ・ＦＥＴしきい値と転位
- ４ ３‐５族化合物のＭＯＣＶＤ成長と界面評価
- ５ 有機金属化合物の物理化学的性質
- ６ ＲＨＥＥＤ振動法による薄膜結晶成長制御
- ７ 通信・計測用ＧａＡｓＩＣ技術
- ８ ＧａＡｓＭＭＩＣのインピーダンスと能動デバイスの動作解析
- ９ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- 巻冊次
-
その5 ISBN 9784769310846
目次
- １． 光励起分子層エピタキシ
- ２． ＩＩＩ‐Ｖ族化合物半導体混晶系のＭＯＣＶＤ結晶成長
- ３． マイグレーション・エンハンスト・エピタキシ
- ４． 気相反応中のフリーラジカルの検出
- ５． ＧａＡｓＦＥＴ用イオン注入能動層の特性制御
- ６． ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸のルミネッセンスによる評価
- ７． ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超格子の構造評価
- ８． レーザラマン分光法による化合物半導体の評価
- ９． ＩＩＩ‐Ｖ族化合物半導体混晶中の欠陥とその発光デバイスに与える影響
- 巻冊次
-
その6 ISBN 9784769310891
目次
- １ 液体封止垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶成長
- ２ ＭＯＶＰＥにおける不純物ドーピング
- ３ クロライド系原子層エピタキシ
- ４ 有機金属を用いる原子層エピタキシと表面反応過程
- ５ フォトキャパシタンス（ＰＨＣＡＰ）法によるＧａＡｓ結晶の評価
- ６ 混晶半導体中の深い準位—ＤＸセンターを中心に
- ７ ３‐４族化合物半導体への不純物拡散技術と光デバイスへの応用
- ８ 化合物半導体ヘテロ接合デバイス技術—電子輸送デバイスを中心に
- ９ 低雑音ＨＥＭＴ—その特性を決めるもの
- パネルディスカッション
- 巻冊次
-
その7 ISBN 9784769310983
内容説明
目次
- １ ボート成長法によるＧａＡｓ結晶の結晶欠陥
- ２ 有機Ｖ族原料を用いたカーボンドープＧａＡｓ結晶成長
- ３ ＭＢＥ‐ＧａＡｓ成長過程のＳＲＥＭ，ＳＥＭ，ＳＴＭによるその場観察
- ４ 化合物半導体におけるμ‐ＲＨＥＥＤ実時間観測
- ５ 高速時間分解フォトルミネッセンス法による共鳴トンネル現象の観測
- ６ ＧａＮのＭＯＶＰＥ成長と発光素子
- ７ 逆構造ＨＥＭＴ—ディジタルおよびアナログデバイスへの応用
- ８ ＨＥＭＴ ＬＳＩ技術
- ９ 超高速ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ ＩＣ技術
- パネルディスカッション
- 巻冊次
-
その8 ISBN 9784769311140
内容説明
目次
- １ 化合物半導体結晶のＶＣＺ成長
- ２ フォトキャパシタンス法による化合物半導体結晶の評価
- ３ 陽電子線による化合物半導体中の点欠陥評価
- ４ ＡｌＧａＩｎＰ結晶の評価と応用
- ５ 結合量子井戸構造の電界吸収特性とその応用
- ６ 半導体ヘテロ接合での超高速トンネリングと光非線形材料への応用
- ７ ＳｉＣの結晶成長と青色発光ダイオード
- ８ ＧａＡｓＩＣのアイソレーション特性
- ９ 光情報処理用面入出力光電融合素子
「BOOKデータベース」 より