半導体イオン注入技術

Author(s)

• 蒲生, 健次 ガモウ, ケンジ

Bibliographic Information

半導体イオン注入技術

蒲生健次編著

（集積回路プロセス技術シリーズ）

産業図書, 1986.7

Title Transcription

ハンドウタイ イオン チュウニュウ ギジュツ

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• 半導体イオン注入技術

  1986

  NDL Digital Collections

  Limited

Note

各章末:参考文献

Description and Table of Contents

Table of Contents

• １　序論
• ２　イオン注入の基礎過程
• ３　照射損傷とアニール効果（Ｓｉ）
• ４　照射損傷とアニール効果（化合物半導体）５　デバイス応用
• ６　デバイスへの応用（化合物半導体）
• ７　イオン注入装置

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Details

• NCID: BN00623257
• ISBN:
  • 4782856245
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: 212p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.8
  • NDLC : ND371
• Subject Headings:
  • NDLSH : 半導体
• Parent Bibliography ID:
  • BN00597860