サブミクロンデバイス
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サブミクロンデバイス
（電子材料シリーズ）
丸善, 1987.7-1988.1
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- Title Transcription
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サブ ミクロン デバイス
Access to Electronic Resource 2 items
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サブミクロンデバイス (1)
1987
Limited -
サブミクロンデバイス (1)
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サブミクロンデバイス (2)
1988
Limited -
サブミクロンデバイス (2)
Available at 120 libraries
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Note
各章末:文献
Description and Table of Contents
- Volume
-
1 ISBN 9784621031834
Description
ＶＬＳＩはサブミクロンの時代に入った。現在すでに開発研究も行われ、量産の開始も目前に迫っている。しかし、二次元効果や高電界化の問題、さらには、高集積化されたデバイスの信頼性の確保など、問題点は尽きない。本書では、これらの問題を、ショートチャネルＭＯＳトランジスタの動作原理より説き起こし、サブミクロンデバイスを基礎から本格的に解説しています。
Table of Contents
- １ ＭＯＳデバイスの基礎（ＭＯＳトランジスタの概要；長チャネルＭＯＳトランジスタの動作原理；短チャネルＭＯＳトランジスタの動作原理）
- ２ ＶＬＳＩの基礎（ＶＬＳＩの基本回路；ＶＬＳＩ回路）
- ３ サブミクロンデバイス（微細形状効果；ＣＭＯＳデバイスとラッチアップ）
- Volume
-
2 ISBN 9784621032381
Description
ＶＬＳＩデバイスは、今日ますます微細化し、ついにサブミクロンの時代に入ったといえよう。それにともないＶＬＳＩデバイスはここにきて、数々の深刻な問題と直面することとなった。本書は、先に刊行された「サブミクロンデバイス１」の続編として、サブミクロンデバイスの抱える最重要課題を根底から詳説するものである。サブミクロンデバイスを本格的に学ぼうとする者にとって、まさに最良の師となる１冊である。
Table of Contents
- １ 序論
- ２ 比例縮小則とデバイス性能
- ３ ゲート絶縁膜の信頼性（ＳｉＯ２膜の電気伝導；界面準位の発生とトラップ；ＳｉＯ２膜の絶縁破壊）
- ４ ホットキャリア注入現象（ＮＭＯＳトランジスタのホットキャリア現象；ＰＭＯＳトランジスタのホットキャリア現象；基板中への少数キャリア注入；高耐圧、高信頼性ＭＯＳトランジスタ）
- ５ ソフトエラー（α線による雑音電荷の発生とソフトエラー；ＤＲＡＭにおけるソフトエラー）
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