SOI構造形成技術

Author(s)

• 古川, 静二郎 フルカワ, セイジロウ

Bibliographic Information

SOI構造形成技術

古川静二郎編著

（集積回路プロセス技術シリーズ）

産業図書, 1987.10

Title Transcription

SOI コウゾウ ケイセイ ギジュツ

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• SOI構造形成技術

  1987

  NDL Digital Collections

  Limited

Description and Table of Contents

Description

本書は、次の時代あるいは現在の時代でも、最も先端的な半導体技術の主要な要素技術のひとつといえるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）形成技術に関するものである。本書は、適度な重点主義の採用により個々の手法の原理、現状、問題点を深く把握でき、それでいて相互の手法の得失を理解でき、さらに応用例の現状も知ることができ、最終的に読者が自分で将来の本命技術を占えるように編集したつもりである。

Table of Contents

• １．　ＳＯＩ構造形成技術概論
• ２．　線状加熱形帯域溶融再結晶化法
• ３．　レーザビーム再結晶化法
• ４．　電子ビーム再結晶化法
• ５．　横方向固相方位成長法
• ６．　結晶性絶縁膜上へのエピタキシャル成長
• ７．　絶縁層埋込法
• ８．　その他のＳＯＩ形成技術
• ９．　デバイスへの応用

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Details

• NCID: BN01517109
• ISBN:
  • 4782856253
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: 281p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.7
  • NDC7 : 549.8
• Subject Headings:
  • BSH : 集積回路
  • NDLSH : 半導体
  • NDLSH : シリコン(半導体)
• Parent Bibliography ID:
  • BN00597860