半導体デバイスのモデリング : 物理モデルと素子特性の解析

Bibliographic Information

半導体デバイスのモデリング : 物理モデルと素子特性の解析

C.M.スノーデン著 ; 浜口智尋, 谷口研二訳

現代工学社, 1988.4

Other Title

Introduction to semiconductor device modelling

Title Transcription

ハンドウタイ デバイス ノ モデリング : ブツリ モデル ト ソシ トクセイ ノ カイセキ

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Description and Table of Contents

Description

本書はデバイスの物理モデルを理解し、それを数式化し、いかに解くかということに重点をおいた入門書である。

Table of Contents

  • 第1章 序論
  • 第2章 半導体中のキャリア輸送方程式
  • 第3章 半導体基本方程式の解法—解析モデル
  • 第4章 半導体方程式の数値的解法—有限差分法
  • 第5章 半導体方程式の数値解法—有限要素法
  • 第6章 半古典法な輸送方程式—ホットエレクトロン効果
  • 第7章 ヘテロ接合素子のシミュレーション
  • 第8章 モンテカルロ法
  • 第9章 量子力学的効果—量子輸送理論入門
  • 付録 電流連続の式の数値解法

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Details

  • NCID
    BN0222260X
  • ISBN
    • 4874721389
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Original Language Code
    eng
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    193p
  • Size
    22cm
  • Classification
  • Subject Headings
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