半導体デバイスのモデリング : 物理モデルと素子特性の解析

書誌事項

半導体デバイスのモデリング : 物理モデルと素子特性の解析

C.M.スノーデン著 ; 浜口智尋, 谷口研二訳

現代工学社, 1988.4

タイトル別名

Introduction to semiconductor device modelling

タイトル読み

ハンドウタイ デバイス ノ モデリング : ブツリ モデル ト ソシ トクセイ ノ カイセキ

大学図書館所蔵 件 / 79

この図書・雑誌をさがす

内容説明・目次

内容説明

本書はデバイスの物理モデルを理解し、それを数式化し、いかに解くかということに重点をおいた入門書である。

目次

  • 第1章 序論
  • 第2章 半導体中のキャリア輸送方程式
  • 第3章 半導体基本方程式の解法—解析モデル
  • 第4章 半導体方程式の数値的解法—有限差分法
  • 第5章 半導体方程式の数値解法—有限要素法
  • 第6章 半古典法な輸送方程式—ホットエレクトロン効果
  • 第7章 ヘテロ接合素子のシミュレーション
  • 第8章 モンテカルロ法
  • 第9章 量子力学的効果—量子輸送理論入門
  • 付録 電流連続の式の数値解法

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BN0222260X
  • ISBN
    • 4874721389
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 原本言語コード
    eng
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    193p
  • 大きさ
    22cm
  • 分類
  • 件名
ページトップへ