レーザラマン分光法による半導体の評価

Author(s)

• 河東田, 隆 カトウダ, タカシ

Bibliographic Information

レーザラマン分光法による半導体の評価

河東田隆著

東京大学出版会, 1988.4

Title Transcription

レーザ ラマン ブンコウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ノ ヒョウカ

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• レーザラマン分光法による半導体の評価

  1988

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  Limited

Note

参考文献: 各章末

Description and Table of Contents

Table of Contents

• １　レーザラマン分光法の原理と装置
• ２　半導体評価技術としてのラマン分光法の特徴
• ３　結晶の面方位の測定
• ４　物質の同定—陽極酸化膜‐半導体構造中の遊離物質の評価
• ５　化合物半導体表面のストレスの評価
• ６　結晶構造の乱れの評価〈１〉—ＧａＡｓイオン注入層の構造評価
• ７　結晶構造の乱れの評価〈２〉—アモルファスシリコンの評価
• ８　局在モードに基づく半導体中の不純物の評価
• ９　プラズモン‐ＬＯフォノン結合モードに基づく電気的特性評価
• １０　混晶半導体の評価
• １１　超格子構造とその無秩序化の評価

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Details

• NCID: BN02242334
• ISBN:
  • 4130601199
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: 194p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.8
  • NDC9 : 549.8
  • NDLC : MC151
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体
  • BSH : ラマン分光分析