レーザラマン分光法による半導体の評価

著者

• 河東田, 隆 カトウダ, タカシ

書誌事項

レーザラマン分光法による半導体の評価

河東田隆著

東京大学出版会, 1988.4

タイトル読み

レーザ ラマン ブンコウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ノ ヒョウカ

注記

参考文献: 各章末

内容説明・目次

目次

• １　レーザラマン分光法の原理と装置
• ２　半導体評価技術としてのラマン分光法の特徴
• ３　結晶の面方位の測定
• ４　物質の同定—陽極酸化膜‐半導体構造中の遊離物質の評価
• ５　化合物半導体表面のストレスの評価
• ６　結晶構造の乱れの評価〈１〉—ＧａＡｓイオン注入層の構造評価
• ７　結晶構造の乱れの評価〈２〉—アモルファスシリコンの評価
• ８　局在モードに基づく半導体中の不純物の評価
• ９　プラズモン‐ＬＯフォノン結合モードに基づく電気的特性評価
• １０　混晶半導体の評価
• １１　超格子構造とその無秩序化の評価

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BN02242334
• ISBN:
  • 4130601199
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 194p
• 大きさ: 22cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
  • NDC9 : 549.8
  • NDLC : MC151
• 件名:
  • BSH : 半導体
  • BSH : ラマン分光分析