半導体デバイス

Author(s)

• 生駒, 俊明 イコマ, トシアキ
• 勝部, 昭明 カツベ, テルアキ

Bibliographic Information

半導体デバイス

生駒俊明, 勝部昭明共著

（電気・電子工学大系, 13）

コロナ社, 1989.6

Title Transcription

ハンドウタイ デバイス

Access to Electronic Resource 1 items

• 半導体デバイス

  1989

  NDL Digital Collections

  Limited

Note

参考文献:p[231]-232

Description and Table of Contents

Table of Contents

• 半導体の電気的特性（結晶構造；エネルギー帯構造；格子振動；電子・正孔の密度；キャリヤの輸送と電気伝導；デバイス解析の基本方程式）
• ダイオード（ショットキー接合；オーム接触；ｐｎ接合；マイクロ波ダイオード）
• ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳ構造の物理；ＭＯＳトランジスタの動作原理と特性；ＭＯＳ集積回路デバイス）
• 接合形電界効果トランジスタ（Ｊ　ＦＥＴの動作特性；ショットキーゲート電界効果トランジスタ縦形ＦＥＴ）
• バイポーラトランジスタ（構造と動作原理；スイッチ動作と増幅作用；トランジスタの動作解析モデル；トランジスタの諸効果と動作限界；バイポーラ論理回路）
• ヘテロ接合デバイス（ヘテロ接合の概念；混晶；ヘテロ接合のバンド不連続；二次元電子ガス；超格子；ヘテロ接合バイポーラトランジスタ；高移動度トランジスタ；量子井戸レーザ）
• 光半導体デバイス（光の吸収と発光；半導体レーザ；発光ダイオード；受光デバイス；太陽電池）
• そのほかの半導体デバイス（サイリスタ；撮像素子；センサ）

by "BOOK database"

Details

• NCID: BN03538096
• ISBN:
  • 4339003182
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: viii, 243p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.8
  • NDLC : ND371
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体
• Parent Bibliography ID:
  • BN00056088