ここまできたイオン注入技術 : 超LSIプロセスのリード役
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ここまできたイオン注入技術 : 超LSIプロセスのリード役
(K books, 79)
工業調査会, 1991.6
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ココマデ キタ イオン チュウニュウ ギジュツ : チョウ LSI プロセス ノ リードヤク
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Description and Table of Contents
Description
本書は、イオン注入技術の基礎とデバイス応用、装置について読み易いように項目ごとに解説している。
Table of Contents
- イオン注入の基礎(1つのイオンが引き起こす数百個〜数千個の衝突;欠陥の行き着く先はアモルファス;重いイオンの注入では、すぐに非晶質化;非晶質化の促進、冷却注入 ほか)
- デバイス応用(LSIの基本はpn接合;注入量と抵抗値は逆相関;リーク電流に及ぼす欠陥;高温で熱処理すれば下がるリーク電流 ほか)
- イオン注入装置(最初から変わらない基本構造;加速管で減速することも;注入機の中は高真空;3種類ある装置 ほか)
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