ここまできたイオン注入技術 : 超LSIプロセスのリード役
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ここまできたイオン注入技術 : 超LSIプロセスのリード役
（K books, 79）
工業調査会, 1991.6
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ココマデ キタ イオン チュウニュウ ギジュツ : チョウ LSI プロセス ノ リードヤク
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Description and Table of Contents
Description
本書は、イオン注入技術の基礎とデバイス応用、装置について読み易いように項目ごとに解説している。
Table of Contents
- イオン注入の基礎（１つのイオンが引き起こす数百個〜数千個の衝突；欠陥の行き着く先はアモルファス；重いイオンの注入では、すぐに非晶質化；非晶質化の促進、冷却注入 ほか）
- デバイス応用（ＬＳＩの基本はｐｎ接合；注入量と抵抗値は逆相関；リーク電流に及ぼす欠陥；高温で熱処理すれば下がるリーク電流 ほか）
- イオン注入装置（最初から変わらない基本構造；加速管で減速することも；注入機の中は高真空；３種類ある装置 ほか）
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