III-V族化合物半導体
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III-V族化合物半導体
（アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ・ブッセイ・デバイス ; 1）
培風館, 1994.5
- タイトル読み
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III-Vゾク カゴウブツ ハンドウタイ
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注記
執筆者: 赤井慎一 [ほか]
参考文献: 各章末
内容説明・目次
内容説明
本書は、多種の化合物半導体の中で、最もよく研究され、また現在、光デバイスや超高速デバイスの中心を占める３‐５族化合物半導体について、物性と技術の現状をまとめたものである。
目次
- 第１編 ３‐５族の結晶成長（バルク結晶成長；ＬＰＥ；気相エピタキシャル成長；ＭＯＶＰＥ；分子線エピタキシャル成長法；ＡＬＥ）
- 第２編 ３‐５族化合物の物性（バルク物性；表面・界面の物性）
- 第３編 材料・デバイス（各論）
「BOOKデータベース」 より