グローブ半導体デバイスの基礎
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グローブ半導体デバイスの基礎
オーム社, 1995.6
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Physics and technology of semiconductor devices
半導体デバイスの基礎
- Title Transcription
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グローブ ハンドウタイ デバイス ノ キソ
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Note
共訳者: 杉山尚志, 吉川武夫
監訳: 垂井康夫
Physics and technology of semiconductor devices.の翻訳
参考文献: 各章末
Description and Table of Contents
Description
本書の目的はプレーナシリコンデバイス、すなわちプレーナ技術によって作られたデバイスの物理と技術の基礎を供することにある。現在、ＬＳＩ、超；ＳＩさらには超々ＬＳＩと発展しつつあるＩＣ技術の成長を可能にした根元は、二つの半導体の内に多くの素子を集積しようとする概念と、シリコンの表面をシリコン酸化膜で覆い、その絶縁膜の上に配線して素子を結ぶ技術があった。後者の技術がプレーナ技術と呼ばれ、１９５９年にフェアチャイルド社で開発され特許出願されたものである。
Table of Contents
- 第１部 固体技術
- 第２部 半導体と半導体デバイス
- 第３部 表面効果と表面制御型デバイス
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