半導体界面でサイト制御された不純物挿入層の電子状態と、バンド不連続量制御への応用
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書誌事項
半導体界面でサイト制御された不純物挿入層の電子状態と、バンド不連続量制御への応用
斎藤敏夫, 1995.3
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ハンドウタイ カイメン デ サイト セイギョ サレタ フジュンブツ ソウニュウソウ ノ デンシ ジョウタイ ト バンド フレンゾクリョウ セイギョ エ ノ オウヨウ
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注記
平成6年度科学研究費補助金(一般研究C)研究成果報告書,研究課題番号05650023
収録内容
- Band discontinuity and effects of Si-insertion layer at ( 311 ) A GaAs/AlAs interface
- Band discontinuity at the ( 311 ) a GaAs/AlAs interface and possibility of its control by Si insertion layers
- Band discontinuity in GaAs/AlAs superlattices with InAs strained insertion-layers
- Artificial control of heterojunction band discontinuities by two delta dopings
- (311)A GaAs/AlAsヘテロ界面のバンド不連続量の人工的制御
