最新VLSIの基礎

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最新VLSIの基礎

Yuan Taur (陶元), Tak H. Ning (甯徳雄)著 ; 竹内潔 [ほか] 訳

丸善, 2002.9

Other Title

Fundamentals of modern VLSI devices

タウア・ニン最新VLSIの基礎

Title Transcription

サイシン VLSI ノ キソ

Available at  / 95 libraries

Note

監訳者: 芝原健太郎

その他の訳者: 寺内衛, 寺田和夫, 堀敦, 宮本恭幸

参考文献: p [591] -603

原著の演習問題を除いた翻訳

Description and Table of Contents

Description

本書は、半導体分野での世界的権威、Ｔａｕｒ，Ｎｉｎｇが最新ＶＬＳＩデバイスの基礎についてまとめた名著“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”の翻訳。ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。事前に必要とされる予備知識は、固体物理と半導体物理の入門的知識のみである。電気・電子工学分野の大学学部高学年から大学院の教科書、技術者・研究者にとっては知識を体系的に再整理する参考書、として最適。最先端デバイスの設計と最適化に必要な基礎〜応用までを展開。

Table of Contents

  • デバイス物理の基礎
  • ＭＯＳＦＥＴデバイス
  • ＣＭＯＳデバイス設計
  • ＣＭＯＳ性能因子
  • バイポーラデバイス
  • バイポーラデバイス設計
  • バイポーラ性能因子
  • ＣＭＯＳプロセスフロー
  • 最近のｎｐｎバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
  • 実効状態密度
  • アインシュタインの関係式
  • なだれ降伏の開始条件
  • サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
  • 弱反転での量子学解
  • エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
  • 真性ベース抵抗

by "BOOK database"

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