SiC素子の基礎と応用

Author(s)

Bibliographic Information

SiC素子の基礎と応用

荒井和雄, 吉田貞史共編

オーム社, 2003.3

Other Title

Power electronics

Title Transcription

SiC ソシ ノ キソ ト オウヨウ

Available at  / 67 libraries

Description and Table of Contents

Description

本書は、NEDO「超低損失電力素子技術開発」プロジェクトの成果を主体として、SiC基盤研究の全容とSiCデバイスの開発例、パワーデバイスとしての応用展開を、研究開発の息吹が伝わるように構成した。すなわち、記述を、(1)基礎事項、(2)技術フロント、(3)Q&Aに分け、(1)では技術開発の基礎と国内外を含めた開発動向および課題を、(2)ではプロジェクトにおいて開発された技術を中心に開発の最前線の技術成果を記載し、(3)ではまだ明確な回答が得られていない重要な問題点を取り上げ、その解決の見通しや方向を論じた。またGaNやダイヤモンドといった他のワイドギャップ半導体を含む派生的な技術の解説やトピックスは囲み記事とした。

Table of Contents

  • 第1章 パワーエレクトロニクスの新展開
  • 第2章 SiCバルク単結晶成長技術
  • 第3章 デバイスプロセス技術
  • 第4章 物性・プロセス評価
  • 第5章 デバイス設計・評価
  • 第6章 デバイス実証
  • 第7章 応用と波及効果
  • 第8章 今後の展開

by "BOOK database"

Details

  • NCID
    BA61590615
  • ISBN
    • 4274948854
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    270p
  • Size
    22cm
  • Classification
  • Subject Headings
Page Top