強誘電体メモリ : 物理から応用まで
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強誘電体メモリ : 物理から応用まで
シュプリンガー・フェアラーク東京, 2003.11
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Ferroelectric memories
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キョウユウデンタイ メモリ : ブツリ カラ オウヨウ マデ
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Note
原書 (Berlin : Springer-Verlag, c2000) の翻訳
参考文献: p[236]-255
Description and Table of Contents
Description
１９２１年に強誘電性が発見されて以来、多くの科学者や技術者が夢みてきた低消費電力で高速な動作の「強誘電体メモリ」。近年ようやく実用化に向けての研究開発が大きく進展しはじめている。本書が目指すのは、現在の水準の強誘電体薄膜メモリに関してのデバイス物理学の知識と、回路設計、材料の作製方法や評価法、および試験の手順との融合である。エンジニアやデバイス物理の研究者はもちろん、電気工学や応用物理学の研究者・学生にとっても「初めての教科書」である。
Table of Contents
- ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭｓ：Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｉｅｓ）の基本特性
- 電気的な絶縁破壊（ＤＲＡＭおよびＮＶ‐ＲＡＭ）
- リーク電流
- 容量の電圧依存性、Ｃ（Ｖ）
- 分極反転の動力学
- 電荷注入と分極疲労
- 周波数依存性
- 結晶相変化のシーケンス
- ＳＢＴ関連化合物のＡｕｒｉｖｉｌｌｉｕｓ層状構造
- 成膜とプロセス
- 非破壊読み出し素子
- 強誘導体‐超伝導体複合素子：フェーズドアレー・レーダーと１０〜１００ＧＨｚ素子
- ウエハー接合
- 電子放射とフラットパネル・ディスプレー
- 光学素子
- ナノフェーズ素子
- 欠点そして不都合（の原因）など
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