半導体デバイス工学 : デバイスの基礎から製作技術まで

Author(s)

• 大山, 英典 オオヤマ, ヒデノリ
• 葉山, 清輝 ハヤマ, キヨテル
• 安田, 幸夫 ヤスダ, ユキオ

Bibliographic Information

半導体デバイス工学 : デバイスの基礎から製作技術まで

大山英典, 葉山清輝著 ; 安田幸夫校閲

森北出版, 2004.3

Title Transcription

ハンドウタイ デバイス コウガク : デバイス ノ キソ カラ セイサク ギジュツ マデ

Note

参考文献: p162-163

Description and Table of Contents

Description

本書は、半導体、特にシリコン（Ｓｉ）の諸性質を定性的かつ定量的にわかりやすく解説。さらに各種デバイスの特性やＳｉ集積回路の設計・製造法を丁寧に記述した入門書・テキスト。

Table of Contents

• １　半導体デバイスの歴史とその役割
• ２　半導体の諸性質
• ３　ダイオード
• ４　バイポーラデバイス
• ５　ユニポーラデバイス
• ６　集積回路
• ７　Ｓｉ半導体デバイスの製作技術

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Details

• NCID: BA66779936
• ISBN:
  • 9784627772717
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: vii, 168p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 549.8
  • NDC9 : 549.8
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体