ダイオードと電界効果トランジスタ
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ダイオードと電界効果トランジスタ
（半導体デバイスの基礎 / B. L. アンダーソン, R. L. アンダーソン著 ; 樺沢宇紀訳, 中）
シュプリンガー・ジャパン, 2008.5
- Other Title
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Fundamentals of semiconductor devices
- Title Transcription
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ダイオード ト デンカイ コウカ トランジスタ
Available at / 119 libraries
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University of Tsukuba Library, Library on Library and Information Science
549.8-H29-210008014732
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The Institute for Solid State Physics Library. The University of Tokyo.図書室
428.41:H21:27210276650
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Note
参考文献: 各章末
Description and Table of Contents
Description
本書は半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書である。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では、前半において、半導体デバイスの基本中の基本であるダイオード（主としてｐｎ接合）の動作原理と動作特性について、通常の解説では省かれている誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では半導体を用いた代表的な３端子素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして、現実的な微細素子の特性に至るまでを論じ、ＣＭＯＳ回路やメモリー（記憶装置）への応用についても簡単に紹介する。
Table of Contents
- 第２部 ダイオード（理想的なｐｎホモ接合；一般のダイオード；ダイオードに関する補足）
- 第３部 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（ＭＯＳＦＥＴ；ＦＥＴに関する追加的な考察；ＭＯＳデバイスに関する補足）
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