III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用

著者

• 長谷川, 英機 ハセガワ, ヒデキ

書誌事項

III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用

研究代表者 長谷川英機

（科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書, 平成7年度〜平成8年度）

[北海道大学工学部], 1997.3

タイトル読み

III-V ゾク ハンドウタイ リョウシ コウゾウ ノ ヒョウメン ジュンイ ノ セイギョ ト ソノ ヒカリ デバイス エノ オウヨウ

注記

研究課題番号: 07455017

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA9076838X
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [札幌]
• ページ数/冊数: 138p
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA31388455