集積ナノデバイス

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集積ナノデバイス

平本俊郎編著 ; 内田建, 杉井信之, 竹内潔著

（半導体デバイスシリーズ / 權田俊一, 谷口研二編集, 1）

丸善, 2009.11

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シュウセキ ナノデバイス

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内容説明・目次

内容説明

変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。

目次

  • １　序論（スケーリング則とムーアの法則；集積ナノデバイスの諸問題　ほか）
  • ２　ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作；ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル　ほか）
  • ３　微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ；移動度向上技術（ひずみＳｉ、新チャネル材料））
  • ４　微細化・集積化にともなう諸問題（スケーリングによる微細化とその課題；微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性　ほか）
  • ５　将来展望（将来に向けての技術動向；集積ナノデバイスマップ　ほか）

「BOOKデータベース」 より

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