パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
(Power electronics)
CQ出版, 2011.4
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パワーデバイスIGBT活用の基礎と実際
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パワー デバイス IGBT カツヨウ ノ キソ ト ジッサイ : MOSFET ト トランジスタ ノ トクチョウ オ イカシタ スイッチング ソシ
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参考文献: p177-178
Description and Table of Contents
Description
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで、我々の周りのいろいろな電気機器に使われています。本書は、このIGBTの活用方法について詳細に解説しています。
Table of Contents
- 第1章 IGBTの基礎知識
- 第2章 ゲート・ドライブ回路の設計
- 第3章 保護回路の設計と並列接続
- 第4章 放熱設計方法
- 第5章 ノイズ低減対策技術
- 第6章 トラブル発生時の対処方法
- 第7章 インテリジェント・パワー・モジュールIPM
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