シリコン貫通電極TSV : 半導体の高機能化技術

著者

• 伝田, 精一 デンダ, セイイチ

書誌事項

シリコン貫通電極TSV : 半導体の高機能化技術

傳田精一著

東京電機大学出版局, 2011.4

タイトル別名

三次元実装のためのTSV技術

Through silicon via

タイトル読み

シリコン カンツウ デンキョク TSV : ハンドウタイ ノ コウキノウカ ギジュツ

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• シリコン貫通電極TSV 半導体の高機能化技術

  2011.4.

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注記

「三次元実装のためのTSV技術」(工業調査会 2009年刊)の改題再刊

参考文献: 各章末

内容説明・目次

目次

• 第１章　シリコン貫通電極の重要性
• 第２章　ＴＳＶの基本製作プロセス
• 第３章　ＴＳＶ作成技術
• 第４章　代表的なＴＳＶ応用積層デバイス
• 第５章　シングルＴＳＶイメージセンサ
• 第６章　シリコンＴＳＶインターポーザ
• 第７章　ＴＳＶウエハとチップの積層
• 第８章　ＴＳＶの電気的特性と熱特性

「BOOKデータベース」 より

• NII書誌ID(NCID): BB05531060
• ISBN:
  • 9784501328009
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 237p
• 大きさ: 21cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
  • NDC9 : 549.8
• 件名:
  • BSH : シリコン(半導体)