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半導体デバイス工学

大村泰久編著

(OHM大学テキスト)

オーム社, 2012.9

タイトル読み

ハンドウタイ デバイス コウガク

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注記

執筆者: 鎌倉良成, 木村睦, 佐々誠彦, 高倉秀行, 沼居貴陽, 松本聡

執筆者「高倉秀行」の「高」は「梯子高 (はしごだか)」の置き換え

参考文献: p206-208

内容説明・目次

目次

  • 半導体結晶とエネルギー帯構造
  • 半導体のキャリヤと電気伝導
  • pn接合の電流‐電圧特性と接合容量
  • 金属と半導体の接合
  • バイポーラトランジスタの動作原理
  • 金属‐絶縁体‐半導体(MIS)構造
  • MOSFETの動作原理
  • MOSFETの微細化の歴史と集積回路の発展
  • 化合物半導体デバイス
  • 薄膜トランジスタ
  • 半導体の光学特性
  • 受光デバイス
  • 発光デバイス
  • 電力制御半導体デバイス
  • これからの半導体デバイス

「BOOKデータベース」 より

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB10321453
  • ISBN
    • 9784274212550
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    vi, 213p
  • 大きさ
    21cm
  • 分類
  • 件名
  • 親書誌ID
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