最新VLSIの基礎

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最新VLSIの基礎

Yuan Taur (陶元), Tak H. Ning (甯徳雄)著 ; 芝原健太郎, 宮本恭幸, 内田建監訳

丸善出版, 2013.1

第2版

Other Title

Fundamentals of modern VLSI devices

タウア・ニン最新VLSIの基礎

Title Transcription

サイシン VLSI ノ キソ

Available at  / 105 libraries

Note

原著の演習問題を除いた翻訳

文献: p[687]-708

Description and Table of Contents

Description

初版より、すべての章が加筆改訂された改訂２版の翻訳書。ＭＯＳＦＥＴのスケール長の理論や高電界輸送モデル、ＳｉＧｅベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、ＣＭＯＳ回路のノイズマージンおよびＲＦ応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、ＳＯＩデバイスについて新たに二つの章が追加された。

Table of Contents

  • 序章
  • デバイス物理の基礎
  • ＭＯＳＦＥＴデバイス
  • ＣＭＯＳデバイス設計
  • ＣＭＯＳ性能因子
  • バイポーラデバイス
  • メモリデバイス
  • ＳＯＩデバイス〔ほか〕

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