最新VLSIの基礎
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最新VLSIの基礎
丸善出版, 2013.1
第2版
- Other Title
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Fundamentals of modern VLSI devices
タウア・ニン最新VLSIの基礎
- Title Transcription
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サイシン VLSI ノ キソ
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Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University未来材料研
549.7||Ta11967972
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Note
原著の演習問題を除いた翻訳
文献: p[687]-708
Description and Table of Contents
Description
初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。
Table of Contents
- 序章
- デバイス物理の基礎
- MOSFETデバイス
- CMOSデバイス設計
- CMOS性能因子
- バイポーラデバイス
- メモリデバイス
- SOIデバイス〔ほか〕
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