最新VLSIの基礎

著者

• Taur, Yuan
• Ning, Tak H.
• 芝原, 健太郎 シバハラ, ケンタロウ
• 宮本, 恭幸 ミヤモト, ヤスユキ
• 内田, 建 ウチダ, ケン

書誌事項

最新VLSIの基礎

Yuan Taur (陶元), Tak H. Ning (甯徳雄)著 ; 芝原健太郎, 宮本恭幸, 内田建監訳

丸善出版, 2013.1

第2版

タイトル別名

Fundamentals of modern VLSI devices

タウア・ニン最新VLSIの基礎

タイトル読み

サイシン VLSI ノ キソ

注記

原著の演習問題を除いた翻訳

文献: p[687]-708

内容説明・目次

内容説明

初版より、すべての章が加筆改訂された改訂２版の翻訳書。ＭＯＳＦＥＴのスケール長の理論や高電界輸送モデル、ＳｉＧｅベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、ＣＭＯＳ回路のノイズマージンおよびＲＦ応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、ＳＯＩデバイスについて新たに二つの章が追加された。

目次

• 序章
• デバイス物理の基礎
• ＭＯＳＦＥＴデバイス
• ＣＭＯＳデバイス設計
• ＣＭＯＳ性能因子
• バイポーラデバイス
• メモリデバイス
• ＳＯＩデバイス〔ほか〕

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB11481411
• ISBN:
  • 9784621085813
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 原本言語コード: eng
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: xxxv, 721p
• 大きさ: 21cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.7
  • NDC9 : 549.7
  • NDLC : ND386
  • LCC : TK7871.99.M44
  • DC21 : 621.39/5
• 件名:
  • BSH : 集積回路
  • NDLSH : 大規模集積回路
  • LCSH : Metal oxide semiconductors, Complementary
  • LCSH : Bipolar transistors
  • LCSH : Integrated circuits -- Very large scale integration