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サブミクロンデバイス

小柳光正著

(電子材料シリーズ)

丸善, 1987.7-1988.1

  • 1
  • 2

Title Transcription

サブ ミクロン デバイス

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Note

各章末:文献

Description and Table of Contents

Volume

1 ISBN 9784621031834

Description

VLSIはサブミクロンの時代に入った。現在すでに開発研究も行われ、量産の開始も目前に迫っている。しかし、二次元効果や高電界化の問題、さらには、高集積化されたデバイスの信頼性の確保など、問題点は尽きない。本書では、これらの問題を、ショートチャネルMOSトランジスタの動作原理より説き起こし、サブミクロンデバイスを基礎から本格的に解説しています。

Table of Contents

  • 1 MOSデバイスの基礎(MOSトランジスタの概要;長チャネルMOSトランジスタの動作原理;短チャネルMOSトランジスタの動作原理)
  • 2 VLSIの基礎(VLSIの基本回路;VLSI回路)
  • 3 サブミクロンデバイス(微細形状効果;CMOSデバイスとラッチアップ)
Volume

2 ISBN 9784621032381

Description

VLSIデバイスは、今日ますます微細化し、ついにサブミクロンの時代に入ったといえよう。それにともないVLSIデバイスはここにきて、数々の深刻な問題と直面することとなった。本書は、先に刊行された「サブミクロンデバイス1」の続編として、サブミクロンデバイスの抱える最重要課題を根底から詳説するものである。サブミクロンデバイスを本格的に学ぼうとする者にとって、まさに最良の師となる1冊である。

Table of Contents

  • 1 序論
  • 2 比例縮小則とデバイス性能
  • 3 ゲート絶縁膜の信頼性(SiO2膜の電気伝導;界面準位の発生とトラップ;SiO2膜の絶縁破壊)
  • 4 ホットキャリア注入現象(NMOSトランジスタのホットキャリア現象;PMOSトランジスタのホットキャリア現象;基板中への少数キャリア注入;高耐圧、高信頼性MOSトランジスタ)
  • 5 ソフトエラー(α線による雑音電荷の発生とソフトエラー;DRAMにおけるソフトエラー)

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Details

  • NCID
    BN01166117
  • ISBN
    • 462103183X
    • 4621032380
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    2冊
  • Size
    22cm
  • Classification
  • Subject Headings
  • Parent Bibliography ID
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