III-V族半導体混晶

Author(s)

• 永井, 治男 ナガイ, ハルオ
• 安達, 定雄 アダチ, サダオ
• 福井, 孝志 フクイ, タカシ

Bibliographic Information

III-V族半導体混晶

永井治男, 安達定雄, 福井孝志共著

（フォトニクスシリーズ / 伊藤良一, 神谷武志, 柊元宏編, 6）

コロナ社, 1988.10

Title Transcription

III-V ゾク ハンドウタイ コンショウ

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• Ⅲ-Ⅴ族半導体混晶

  1988

  NDL Digital Collections

  Limited

Note

引用・参考文献:各章末

Description and Table of Contents

Table of Contents

• １　混晶と光デバイス（混晶の必要性；３‐５族混晶概論）
• ２　混晶の性質（混晶設計の基礎；結晶構造と力学的性質；熱的性質；バンド構造と電気的性質；光学的性質；光変調現象と物性定数）
• ３　混晶の結晶成長（混晶構造の熱力学；ハイドライド気相エピタキシャル成長法とクロライド気相エピタキシャル成長法；有機金属化合物気相エピタキシャル成長法；分子線エピタキシャル成長法；液相エピタキシャル成長法；混晶エピタキシャル成長層の構造；光デバイスと結晶成長）
• ４　混晶の微視的構造（微視的構造の重要性；混晶中の最近接結合長；規制—不規則原子配列；規則混晶半導体）

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Details

• NCID: BN02691156
• ISBN:
  • 433900555X
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: 266p
• Size: 22cm
• Classification:
  • NDC8 : 428.8
  • NDC7 : 428.85
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体
  • NDLSH : 半導体
• Parent Bibliography ID:
  • BN02691123