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半導体デバイス

生駒俊明, 勝部昭明共著

(電気・電子工学大系, 13)

コロナ社, 1989.6

タイトル読み

ハンドウタイ デバイス

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注記

参考文献:p[231]-232

内容説明・目次

目次

  • 半導体の電気的特性(結晶構造;エネルギー帯構造;格子振動;電子・正孔の密度;キャリヤの輸送と電気伝導;デバイス解析の基本方程式)
  • ダイオード(ショットキー接合;オーム接触;pn接合;マイクロ波ダイオード)
  • MOS電界効果トランジスタ(MOS構造の物理;MOSトランジスタの動作原理と特性;MOS集積回路デバイス)
  • 接合形電界効果トランジスタ(J FETの動作特性;ショットキーゲート電界効果トランジスタ縦形FET)
  • バイポーラトランジスタ(構造と動作原理;スイッチ動作と増幅作用;トランジスタの動作解析モデル;トランジスタの諸効果と動作限界;バイポーラ論理回路)
  • ヘテロ接合デバイス(ヘテロ接合の概念;混晶;ヘテロ接合のバンド不連続;二次元電子ガス;超格子;ヘテロ接合バイポーラトランジスタ;高移動度トランジスタ;量子井戸レーザ)
  • 光半導体デバイス(光の吸収と発光;半導体レーザ;発光ダイオード;受光デバイス;太陽電池)
  • そのほかの半導体デバイス(サイリスタ;撮像素子;センサ)

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BN03538096
  • ISBN
    • 4339003182
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    viii, 243p
  • 大きさ
    22cm
  • 分類
  • 件名
  • 親書誌ID
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