半導体デバイス
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半導体デバイス
(電気・電子工学大系, 13)
コロナ社, 1989.6
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ハンドウタイ デバイス
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注記
参考文献:p[231]-232
内容説明・目次
目次
- 半導体の電気的特性(結晶構造;エネルギー帯構造;格子振動;電子・正孔の密度;キャリヤの輸送と電気伝導;デバイス解析の基本方程式)
- ダイオード(ショットキー接合;オーム接触;pn接合;マイクロ波ダイオード)
- MOS電界効果トランジスタ(MOS構造の物理;MOSトランジスタの動作原理と特性;MOS集積回路デバイス)
- 接合形電界効果トランジスタ(J FETの動作特性;ショットキーゲート電界効果トランジスタ縦形FET)
- バイポーラトランジスタ(構造と動作原理;スイッチ動作と増幅作用;トランジスタの動作解析モデル;トランジスタの諸効果と動作限界;バイポーラ論理回路)
- ヘテロ接合デバイス(ヘテロ接合の概念;混晶;ヘテロ接合のバンド不連続;二次元電子ガス;超格子;ヘテロ接合バイポーラトランジスタ;高移動度トランジスタ;量子井戸レーザ)
- 光半導体デバイス(光の吸収と発光;半導体レーザ;発光ダイオード;受光デバイス;太陽電池)
- そのほかの半導体デバイス(サイリスタ;撮像素子;センサ)
「BOOKデータベース」 より