Si MOSデバイスの物理
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Si MOSデバイスの物理
（エレクトロニクスモノグラフシリーズ / 堀内和夫, 熊谷信昭企画・編集世話人, 3）
コロナ社, 1989.11
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Physics and technology of Si MOS devices
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Si MOS デバイス ノ ブツリ
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Note
文献: 各章末
コロナ社創立60周年記念出版
Description and Table of Contents
Description
本書はシリコンＭＯＳデバイスについて、行ってきた研究成果を中心にして、ＭＯＳデバイスの物理に関する基本的な問題を取り上げたものである。
Table of Contents
- 第１編 Ｓｉ‐ＳｉＯ〓２系の構造（Ｓｉ熱酸化膜の構造；Ｓｉ‐ＳｉＯ２界面凹凸の電子顕微鏡観察とシリコン表面反転層中の電子の界面散乱）
- 第２編 Ｓｉ‐ＳｉＯ２系の物理（Ｓｉ表面状態の理論；Ｓｉ‐ＳｉＯ２系の電子状態の理論；Ｓｉ‐ＳｉＯ２界面での電子状態と伝導；低電圧バイアス下におけるＭＯＳ ＦＥＴしきい値電圧変動のメカニズム）
- 第３編 Ｓｉ ＭＯＳプロセス技術（化学エッチングしたＳｉ表面の評価；Ｓｉの反応性イオンエッチング；Ｓｉのプラズマ陽極酸化）
- 第４編 Ｓｉ ＭＯＳ系の評価技術（Ｓｉ‐ＳｉＯ２系のＤＬＴＳと測定系；Ｅ．Ｂ．照射によるＳｉ‐ＳｉＯ２界面準位の発生；ＳｉＯ２中のキャリアトラップ）
- 第５編 ＭＯＳデバイス回路のモデリングとシミュレーション（短チャネルＭＯＳトランジスタのモデリング；ＤＲＡＭ用サブミクロンＭＯＳ ＦＥＴの設計法と縮小限界；縮小ＣＭＯＳ，ｎＭＯＳインバータの性能比較）
- 第４編 特殊用途のＭＯＳデバイス（不揮発性メモリ素子；アモルファスＳｉを用いたデバイス；イオン感応性電界効果トランジスタ）
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