Si MOSデバイスの物理
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書誌事項
Si MOSデバイスの物理
(エレクトロニクスモノグラフシリーズ / 堀内和夫, 熊谷信昭企画・編集世話人, 3)
コロナ社, 1989.11
- タイトル別名
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Physics and technology of Si MOS devices
- タイトル読み
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Si MOS デバイス ノ ブツリ
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注記
文献: 各章末
コロナ社創立60周年記念出版
内容説明・目次
内容説明
本書はシリコンMOSデバイスについて、行ってきた研究成果を中心にして、MOSデバイスの物理に関する基本的な問題を取り上げたものである。
目次
- 第1編 Si‐SiO〓2系の構造(Si熱酸化膜の構造;Si‐SiO2界面凹凸の電子顕微鏡観察とシリコン表面反転層中の電子の界面散乱)
- 第2編 Si‐SiO2系の物理(Si表面状態の理論;Si‐SiO2系の電子状態の理論;Si‐SiO2界面での電子状態と伝導;低電圧バイアス下におけるMOS FETしきい値電圧変動のメカニズム)
- 第3編 Si MOSプロセス技術(化学エッチングしたSi表面の評価;Siの反応性イオンエッチング;Siのプラズマ陽極酸化)
- 第4編 Si MOS系の評価技術(Si‐SiO2系のDLTSと測定系;E.B.照射によるSi‐SiO2界面準位の発生;SiO2中のキャリアトラップ)
- 第5編 MOSデバイス回路のモデリングとシミュレーション(短チャネルMOSトランジスタのモデリング;DRAM用サブミクロンMOS FETの設計法と縮小限界;縮小CMOS,nMOSインバータの性能比較)
- 第4編 特殊用途のMOSデバイス(不揮発性メモリ素子;アモルファスSiを用いたデバイス;イオン感応性電界効果トランジスタ)
「BOOKデータベース」 より